Компоненты электроники транзистора влияния поля MOSFET Semicon CSD25483F4
-
Номер моделиCSD25483F4
-
Ток - выход (макс.)CSD25483F4
-
Устанавливать типповерхностный слой
-
ЧастотаСтандарт
-
ФункцияСтандарт
-
Частота - отсечка или центрСтандарт
-
Место происхожденияКИТАЙ
-
Фирменное наименованиеCSD25483F4
-
СертификацияCSD25483F4
-
Номер моделиCSD25483F4
-
Количество мин заказа6 PCS
-
ЦенаInquiry
-
Упаковывая деталикоробка/коробка/сумка
-
Время доставки2days
-
Условия оплатыT/T, ESCROW, ALIPAY, БЕЛОЕ HORSE/GETS ИСПЫТЫВАЯ, PayPal, западное соединение, оплата WeChat
-
Поставка способности600000pcs/Day
Компоненты электроники транзистора влияния поля MOSFET Semicon CSD25483F4
Компоненты электроники транзистора влияния поля MOSFET Semicon CSD25483F4
| Атрибуты | значение параметра | |
|---|---|---|
| Каталог продукта | Транзистор влияния поля (MOSFET) | |
| тип | - | |
| Напряжение тока Сток-источника (Vdss) | - | |
| Непрерывное течение стока (id) | - | |
| Сила (Pd) | - | |
| На-сопротивление (@Vgs, id RDS (дальше)) | - | |
| Напряжение тока порога (@Id Vgs (th)) | - | |
| Обязанность ворот (Qg@Vgs) | - | |
| Входная емкость (Ciss@Vds) | - | |
| Обратная емкость передачи (Crss@Vds) | - |
сопутствующие товары
Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.